導熱PI膜的技術要點涵蓋了從選材到制造工藝的全過程。通過不斷的技術創新和優化，導熱聚酰亞胺薄膜在電子、電氣等高科技領域的應用前景將更加廣闊。

填料選擇

氮化硼顆粒：采用一種納米級的氮化硼作為研究填料，這種材料發展具有低摩擦影響系數和良好的耐高溫性，能有效提高聚酰亞胺的導熱性能。

氮化碳納米片: 采用熱刻蝕法制備的氮化碳納米片，與聚酰胺酸混合后，用流延法制備的復合薄膜具有優異的熱導率和電絕緣性能。

生產方法

原位聚合法:將所需的填料與溶劑、二胺和二酐混合，制得含有所需填料的聚酰胺酸，然后涂布在平板上，在高溫烘箱中亞胺化生成聚酰亞胺薄膜。

機械化學輔助分散: 該方法有利于 BN 與基體之間形成共價鍵，并通過機械化學作用使 BN 片材部分剝離，實現填料在聚合物基體中的均勻分散，從而在較低的填料含量下構成有效的導熱網絡。

性能優化

面內取向:在熱亞胺化過程中通過誘導氮化碳納米片實現面內取向，大大降低界面熱阻，顯著提高聚酰亞胺薄膜的熱導率。

復合設計: 層層環氧樹脂鋪設在聚酰亞胺層的頂部和底部，通過壓光機緊密結合，形成一個保持高復合材料的熱導率，同時增強了材料的機械穩定性和加工方便性。